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第3134章 全球SPIE微光刻会议

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在赵长安看来,要这些世界一流的企业里面,没有一点明白人,那是根本就不可能的事情,而是这些明白人根本就没有足够的话语权。

更重要的是sony,panasonic,aia这些企业在个人便携式音乐播放器市场,尤其是中高端市场,以及形成了世界性的垄断地位,手握着大量的技术专利实体工厂,以及多年以来持续性的方向研究和数以亿美元计数的投资资金。

假如选择进入mp3市场,就等于一夜之间他们大量的工厂,数以万计的员工,以及积累了几十年的大量专利,几乎全部被清零。

这种等于壮士断腕的事情,基本上正常人都很难轻易的做到。

只有到了未来,随着mp3制式在世界音乐播放器市场形成不可阻挡的趋势和洪流,这些老大帝国的企业才会不得不痛苦的在现实面前低头。

这种情况用在目前新一代光刻机的研发上面也是如此,现在世界光刻机巨头是Nikon和canon,都依然在豪赌步进式光刻机。

而新进的造机新势力ASmL,更是在老美的牵头下,发誓要在新一代的光刻机领域,打破Nikon和canon的技术和市场垄断,让欧美人也拥有世界最高科技前沿的光刻机企业。

目前Nikon和canon,在157nm深紫外激光波(dUV)步进式光刻机的研发上面,已经投入了几十亿美元,虽然处于世界领先地位,不过157nm的光会被现在所用的193nm镜片吸收,穿透率低,无论是镜片还是光刻胶都需要重新的研发配适,同时氧气对157nm光波吸收性很强,——这么一大堆的问题,都是目前世界上这几家(dUV)步进式光刻机在研发下一代光刻里面遇到的难题需要客服。

而且即使能够实现良品率的量产,157nm的dUV也只能把解析度提高23%,而对于之后的下一代光刻机,这似乎已经成了走到科技树极限的死胡同。

只不过因为前面量的投资,使得Nikon和canon明知道157nm的dUV很有可能已经做到了这一方向的制程极限,然而那句话‘超前一步是才,超前几步是疯子’的箴言,他们显然都很信奉,却依然在拼命的豪赌。

原因很简单,只有这么做他们才能依然保持着行业垄断,同时收回前期投入的几十亿美元的资金。

这个情况就像现在的个人便携式音乐播放器市场,他们不是不明白新技术的优势和代表着产品的未来方向。

而是不愿意新技术现在就在市场上蚕食他们的份额,更不愿意一切重来的推倒炉灶。

而且即使在研发157nm的dUV光刻机的时候,这两家公司也在多电子束,离子流技术,甚至浸没式光刻技术光刻技术,等等研发领域悄悄的组建了研究机构,并且大量的提前申请布局专利壁垒。

就比如在三年前的99年3月16日,Nikon公司就向专利局提交了浸没式光刻技术专利申请,专利名称是“projection exposure method and system”。该pct国际公开日是99年9月30日,国际公开号:o99\/。

可以是相当的鸡贼。

包括和ASmL合作的麻省理工学院(mIt)林肯实验室,也在157nmdUV上努力的给ASmL助力。

不过他们研究的方向有别于Nikon和canon在纯氮气中进行157nm光波雕刻,而是选择了离子水(纯化水)状态下的157nm浸没实验。

这个实验大致和Nikon的浸没式光刻技术专利差不多,都是研究在纯净水状态下157nmdUV的雕刻性能。

就在几前的全球SpIE微光刻会议上,mIt做出研发报告157nm浸没实验的结果。

“在去离子水(纯化水)状态下的浸没实验,157nmdUV依然有着在纯氮环境下的诸多问题无法解决。然而对于193nm的曝光是足够透明的,在193nm浸没的情况下157nm问题常见的普遍困难都不存在,几乎等同于现今处于干式介质中193nm步进式光刻机效果。”

mIt的这份报告,让现场与会的全球微影领域的顶尖大拿们纷纷失望不已,也就是在这个报告出来了以后,这几世界微光刻领域对浸没式光刻技术纷纷发表了类似于‘至少现今技术还不成熟’的观点。

这个观点,有着这些微光刻领域专家们的真实的想法,更有着Nikon和canon为了能继续保持在这个领域的权威和垄断,以及已经砸进去几十亿美元的游和新闻引导。

在这个会议上,林博士也参加了这场会议,会议的主持方要求他发言‘浸润式微影技术’。

“由于NA已经大于0.9,并且随着NA的进一步增加而回报递减,浸没式光刻可能是额外节点的关键。浸没式光刻的关键是具有在光学波长中具有足够的透射性,并且对透镜和抗蚀剂表面是惰性的。开始研究浸没流体是相对便夷。一旦确定了流体,就必须解决许多问题;即,抗蚀剂的脱气,曝光或扫描过程中流体折射率的不均匀、流体的摩擦导致的扫描速度减慢,以及潮湿环境的混乱。——”

这时候赵长安手里面拿的一份文件,就是在这次全球SpIE微光刻会议上,各个专家级权威的发言。

其中他看了林博士的发言的时间最长,对于别的专家的发言,基本上都是快速的浏览。

对于赵长安前一世这个会议上林博士的发言,赵长安没有看到过,因为那个时候他怎么可能对这种枯燥的技术发言感兴趣。

而现在他则是翻来覆去的看这篇很短的发言,看了半,感觉他好像啥都没有。

其实在这个会议上,真正最具备含金量的在赵长安看来,是mIt研发报告里面提到的那句‘在193nm浸没的情况下157nm问题常见的普遍困难都不存在,几乎等同于现今处于干式介质中193nm步进式光刻机效果。’

这句话里面暗含着一个重大的,如同窗户纸一样,却直到03年7月才开始被Sematech(m国半导体制造技术联盟,成员包括m国防部、能源部、国家实验室、国家科学委员会、国家标准及技术院、mIt,得州大学,ASmL,——)捅破。

就是既然193nm在浸没式液体之中既然依然是那么的稳定,为什么一定要使用难题很多的157nm作为浸没式光源,为什么就不能依然用193nm。

而现在所有人都这么认为,既然193nm在干式介质就已经很稳定,为什么要脱了裤子放屁,要把它放在液态流体之中多此一举?

这里面唯一所欠缺的一个几乎这些技术人员都知道的常识要素,没有被他们考虑进去,就是液体和干式介质之间,不同的折射率。

实际上在赵长安的前一世,林博士在自传中到,他在不久前的SpIE微光刻,发表了很具有重量级的发言。

“我在研讨会发表用水配合193纳米,能比干式的157纳米多增进一世代,而且比后者容易开发。结果全场轰动。我演讲后,所有交谈的时间大家都在讨论这个题目。”

实际上,似乎真的没有这个事实,因为他的发言人家留有录音,这个可真是做不得假。

(本章完)

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